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共找到 61 条信息-
led漏电流测试高精度源表
LED必须在合适的电流电压驱动下才能正常工作。其电压-电流之间的关系称为I-V特性。通过对LED电特性的测试，可以获得对应正向电压（Vf）、反向电压（Vr）及漏电流（Ir）等参数，以及相应的I-V曲线。常用的测试方法一般为在LED器件的两端，加电压测试电流，或者加电流测试电压面议2025-02-27 -
双极性电源数字源表直流3A精密源表
双极性电源数字源表直流3A精密源表优势 ◾ 性能强大-作为电压源和或电流源，并同步测量电流和或电压，支持四象限工作。可以限定电压或电流输出大小，预防器件损坏。覆盖3pA-3A的电流范围100μV-300V的电压范围，全量程测量精度0.03%。 ◾ 灵活多样-支持两线制和四线制测量面议2025-02-27 -
PL202型脉冲式直流电源
PL202型脉冲式直流电源特点和优势： 超窄至1us的脉冲； 大到30A的脉冲电流； 最大300A/us上升速度； 兼容CW和QCW模式； 丰富的软件接口； PL202型脉冲式直流电源应用 医疗、美容激光器，典型波长为808nm等 光纤、固体激光器的泵浦源，典型波长为53面议2025-02-27 -
硅基and碳化硅特性曲线测试设备
硅基and碳化硅特性曲线测试设备优势 高电压、大电流 具有高电压测量/输出能力,电压高达3500V(最大可扩展至10kV) 具有大电流测量/输出能力,电流高达6000A(多模块并联) 高精度测量 nA级漏电流, μΩ级导通电阻 0.1%精度测量 模块化配置面议2025-02-27 -
半导体激光器参数测试设备激光器老化测试系统
普赛斯半导体激光器参数测试设备激光器老化测试系统是专为解决千瓦级大功率半导体激光器芯片及泵浦激光器模块需要使用窄脉冲大电流测试和老化、芯片发热严重等问题而创新开发推出的一套通用性好、大功率、循环水冷的老化测试系统。产品具有大电流窄脉冲恒流特性好、电流稳定面议2025-02-27 -
精密电流源直流源表
普赛斯数字源表集电压源、电流源、电压表、电流表、电子负载功能于一体，支持四象限工作、微弱电流10pA输出测量、3500V高压下nA级测量、1000A脉冲大电流输出，全系列产品丰富，新推出更高精度、更大直流的SXXB系列高精度数字源表，相比于传统S系列源表，准确度提升至±0.03%面议2025-02-27 -
igbt模块测试设备功率器件测试仪
普赛斯igbt模块测试设备功率器件测试仪，集多种测量和分析功能一体，可以精准测量不同封装类型功率器件（如MOSFET、BJT、IGBT以及SiC、GaN第三代半导体等）的静态参数，具有高电压和大电流特性、μΩ级J确测量、nA级电流测量能力等特点。支持高压模式下测量功率器件结电容，如面议2025-02-27 -
半导体器件电性能测试仪表高精度数字源表
半导体器件电性能测试仪表高精度数字源表找普赛斯仪表，普赛斯数字源表国产自主研发，对标美国2400，B2901；可实现“源”的输出和“表”的测量同步进行，提高测试效率；支持四象限工作，测量范围广，电压高至300V，电流低至10pA；支持USB存储，一键导出数据报告；5寸触摸显示屏面议2025-02-27 -
数字源表搭建MOS电容CV特性测试实验平台
系统方案 普赛斯半导体功率器件C-V测试系统主要由源表、LCR表、矩阵开关和上位机软件组成。LCR表支持的测量频率范围在0.1Hz~1MHz，源表(SMU)负责提供可调直流电压偏置，通过矩阵开关加载在待测件上。 进行 C-V 测量时，通常在电容两端施加直流偏压，同时利用一个交流信面议2025-02-27 -
SMU数字源表搭建微电子教学实验平台
在半导体材料和器件的研究中，电性能测试是必不可少的环节。随着半导体技术的提升，微电子工艺逐渐复杂，如何对微电子材料器件进行高效率测试成为业内关注的重点。普赛斯仪表陆续推出多型号国产化数字源表SMU，为进一步打通测试融合壁垒，打造闭环解决方案，通过对半导体高面议2025-02-27 -
半导体性能检测设备iv曲线测试仪
实施特性参数分析的最佳工具之一是数字源表（SMU）。普赛斯历时多年打造了高精度、大动态范围、率先国产化的源表系列产品，集电压、电流的输入输出及测量等功能于一体。可作为独立的恒压源或恒流源、伏特计、安培计和欧姆表，还可用作精密电子负载。其高性能架构还允许将其面议2025-02-27 -
电化学实验循环伏安测试仪
电化学电池的三个电极是工作电极 (WE)、基准电极 (RE) 和反（或辅助）电极 (CE)。WE 和 CE 之间使用双极性可编程电源进行电压扫描。RE与 WE 之间的电位E使用数字电压表测量，然后调节双极性可编程电源输出电压VS，使E为希望的电位值，这时使用万用表测量流入WE的电流I。之后面议2025-02-27 -
功率半导体参数测试仪3500V/1000A
普赛斯PMST功率半导体参数测试仪3500V/1000A，主要包括测试主机、测试线、测试夹具、电脑、上位机软件，以及相关通讯、测试配件等构成。整套系统采用普赛斯自主开发的测试主机，内置多种规格电压、电流、电容测量单元模块。结合专用上位机测试软件，可根据测试项目需要，设面议2025-02-27 -
半导体器件参数测试仪半导体参数分析仪
SPA-6100半导体器件参数测试仪半导体参数分析仪是武汉普赛斯自主研发、精益打造的一款半导体电学特性测试系统，具有高精度、宽测量范围、快速灵活、兼容性强等优势。产品可以同时支持DC电流-电压(I-V)、电容-电压(C-V)以及高流高压下脉冲式I-V特性的测试，旨在帮助加快前沿面议2025-02-27 -
半导体静态参数测试仪+功率器件测试设备
普赛斯仪表专业研究和开发半导体材料与器件测试的专业智能装备，产品覆盖半导体领域从晶圆到器件生产全产业链。推出基于高精度数字源表(SMU）的第三代半导体功率器件静态参数测试方案，为SiC和GaN器件提供可靠的测试手段，实现功率半导体器件静态参数的高精度、高效率测量和面议2025-02-27 -
30A+1us脉冲源
30A+1us脉冲源的简述: 作用: 主要应用于VCSEL激光器、大功率LED的测试 功能： 实现窄脉冲加电的LIV测试 特点： （1）超窄脉冲大电流电流加电，能够满足VCSEL的晶圆和芯片的测试需要； （2）支持脉冲光功率和器件脉冲电压采样功能。是LIV测试的系统解决方案； （3面议2025-02-27 -
二极管反向漏电流测试国产源表
普赛斯二极管反向漏电流测试国产源表 二极管是一种使用半导体材料制作而成的单向导 电性元器件，产品结构一般为单个PN结结构，只允许电流从单一方向流过。发展至今，已陆续发展出整流二 极管、肖特基二极管、快恢复二极管、PIN二极管、光电 二极管等，具有安全可靠等面议2025-02-27 -
PMST-3500V大功率激光器LIV测试及老化系统
普赛斯PMST-3500V大功率激光器LIV测试及老化系统是专为解决千瓦级大功率半导体激光器芯片及泵浦激光器模块需要使用窄脉冲大电流测试和老化、芯片发热严重等问题而创新开发推出的一套通用性好、大功率、循环水冷的老化测试系统。产品具有大电流窄脉冲恒流特性好、电流稳定、面议2025-02-27 -
16路激光器老化测试系统
16路激光器老化测试系统特点 单抽屉最多支持16路8抽屉； 各通道互相独立； 电流回读，同步自动测量电压、光功率等数据； 加热膜加热，温控范围：室温～125℃； 电源抗浪涌设计； 收光装置水冷； 绝对精度±1℃，不同DUT温度均匀性±2℃； 老化数据自动记面议2025-02-27 -
半导体特性曲线仪iv+cv测试机
半导体特性曲线仪iv+cv测试机优势： IV、CV一键测；一体机，支持远程指令控制；支持三同轴接探针台 能够覆盖从材料、晶圆、器件到模块的测试；详询18140663476 典型应用： 纳米、柔性等材料特性分析； 二极管； MOSFET、BJT、晶体管、IGBT；面议2025-02-27 -
漏电流 开短路测试 电气特性测试数字源表
数字源表可作为独立的恒压源或恒流源、电压表、电流表和电子负载，支持四象限功能，可提供恒流测压及恒压测流功能,可简化芯片电性能测试方案。 在生产和老化测试时，往往要求在同一时间内完成对多个DUT的测试，或者在单个DUT上异步或者同步地运行多个测试任务。基于普赛斯C面议2025-02-27 -
P系列脉冲源表IV测试激光器芯片
PXOOB系列脉冲源表是普赛斯在直流源表的基础上新打造的一款高精度、大动态、数字触摸源表，汇集电压、电流输入输出及测量等多种功能，Z大脉冲输出电流达30A，Z大输出电压达300V，支持四象限工作，因此能广泛的应用于各种电气特性测试中。PXOOB系列源表适用于各行各业使用者面议2025-02-27 -
高精度台式数字源表S系列国产电流源
高精度台式数字源表S系列国产电流源优势 ◾ 性能强大-作为电压源和或电流源，并同步测量电流和或电压，支持四象限工作。可以限定电压或电流输出大小，预防器件损坏。覆盖0-3A的电流范围0-300V的电压范围，全量程测量精度0.03%。 ◾ 灵活多样-支持两线制和四线制测量，更面议2025-02-27 -
半导体电学参数测试设备iv+cv测试机
半导体电学参数测试设备iv+cv测试机优势： IV、CV一键测；一体机，支持远程指令控制；支持三同轴接探针台 能够覆盖从材料、晶圆、器件到模块的测试;详询18140663476 SPA-6100半导体参数分析仪是武汉普赛斯自主研发、精益打造的一款半导体电学特性测试系统，具有高面议2025-02-27 -
高功率源表30A直流100A脉冲
HCP系列大电流台式脉冲源表具备直流和脉冲输出能力，最大脉冲输出电流100A，最大输出电压100V，支持四象限工作，输出及测量精度均可达0.1%，可广泛用于功率MOS测试、肖特二极管测试、整流桥堆测试及太阳能电池模组测试等。详询一八一四零六六三四七六 应用 •纳米材料面议2025-02-27
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