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功率器件CV测试系统+CV测试仪
系统方案 普赛斯功率器件CV测试系统+CV测试仪主要由源表、LCR表、矩阵开关和上位机软件组成。LCR表支持的测量频率范围在0.1Hz~1MHz，源表(SMU)负责提供可调直流电压偏置，通过矩阵开关加载在待测件上。 进行 C-V 测量时，通常在电容两端施加直流偏压，同时利用一面议2025-04-08 -
LIV光电特性测试脉冲恒流源
LIV光电特性测试脉冲恒流源认准普赛斯仪表，厂家直销，服务完善，详询一八一四零六六三四七六；PL系列脉冲电流源是针对大功率激光器LIV测试而研制的，触摸显示屏全图形化操作，高灵敏度宽带光功率检测，内置LIV测试软件加速用户完成测试，具有输出电流脉冲窄、输出脉冲电流面议2025-04-08 -
半导体特性曲线测试仪IV曲线扫描仪
普赛斯数字源表集电压源、电流源、电压表、电流表、电子负载功能于一体，支持四象限工作、微弱电流10pA输出测量、3500V高压下nA级测量、1000A脉冲大电流输出，全系列产品丰富，新推出更高精度、更大直流的SXXB系列高精度数字源表，相比于传统S系列源表，准确度提升至±0.03%面议2025-04-08 -
半导体分立器件静态测试设备
普赛斯半导体分立器件测试设备,集多种测量和分析功能一体,可以精准测量IGBT功率半导体器件的静态参数,具有高电压和大电流特性、uQ级精确测量、nA级电流测量能力等特点。支持高压模式下测量功率器件结电容,如输入电容、输出电容、反向传输电容等。详询一八一四零六六三四七六面议2025-04-08 -
功率器件功能高压测试模块
E系列功率器件功能高压测试模块特点和优势： 十ms级的上升沿和下降沿； 单台最大3500V的输出； 0.1%测试精度； 同步电流或电压测量； 支持程控恒压测流，恒流测压，便于扫描测试；详询一八一四零六六三四七六； 部分参数 最大输出功率：350W，3500V面议2025-04-08 -
国产半导体参数分析仪1200V/100A
SPA-6100国产半导体参数分析仪是武汉普赛斯自主研发、精益打造的一款半导体电学特性测试系统，具有高精度、宽测量范围、快速灵活、兼容性强等优势。产品可以同时支持DC电流-电压(I-V)、电容-电压(C-V)以及高流高压下脉冲式I-V特性的测试；SPA-6100半导体参数分析仪可以帮助面议2025-04-08 -
大电流电源3000A电流源
普赛斯仪表专业研究和开发半导体材料与器件测试的专业智能装备，产品覆盖半导体领域从晶圆到器件生产全产业链。推出基于高精度数字源表(SMU）的第三代半导体功率器件静态参数测试方案，为SiC和GaN器件提供可靠的测试手段，实现功率半导体器件静态参数的高精度、高效率测量和面议2025-04-08 -
E系列功率器件功能高压测试模块
武汉普赛斯仪表有限公司，是一家专注于半导体的电性能测试仪表的开发、生产与销售的研发型高新技术企业。公司以源表为核心产品，专注于第三代半导体测试，提供从材料、晶圆、器件的全系列解决方案。 未来，普赛斯仪表基于国产化高精度数字源表（SMU）的测试方案，以更优面议2025-04-08 -
旁路二极管热性能测试脉冲电流源
热斑效应：太阳能电池一般是由多块电池组件串联或并联起来。串联支路中可能由于电池片内部缺陷或者外部遮挡，将被当作负载消耗其他有光照的太阳电池组件所产生的能量。被遮蔽的太阳电池组件此时会严重发热而受损。旁路二极管是指并联于太阳能电池板正负极两端之间的二极管，面议2025-04-08 -
apd暗电流测试数字源表
在APD的光电特性中，暗电流是一个重要的参数。暗电流是指在没有光照射的情况下，APD中由于热激发等原因导致的电子漂移和电子-空穴对产生而产生的电流，暗电流测试的准确性对于评估APD的性能和稳定性非常重要。在进行APD暗电流测试时，通常面临如下挑战：测试环境影响、连接面议2025-04-08 -
二三极管iv测试仪iv曲线扫描仪
半导体分立器件根据基材不同,可分为不同类型。以硅基半导体为基材时,半导体分立器件主要包括二极管(Diode)、三极管(BJT)、晶闸管(SCR)、场效应晶体管(MOSFET)、绝缘栅双极型晶体管(IGBT)等；以宽禁带材料半导体为基材时,半导体分立器件主要包括:SiC.GaN半导体功率器件。面议2025-04-08 -
高电压大电流功率器件测试机
普赛斯仪表专业研究和开发半导体材料与器件测试的专业智能装备，产品覆盖半导体领域从晶圆到器件生产全产业链。推出基于高精度数字源表(SMU）的第三代半导体功率器件静态参数测试方案，为SiC和GaN器件提供可靠的测试手段，实现功率半导体器件静态参数的高精度、高效率测量和面议2025-04-08 -
电阻式传感器电性能分析SMU数字源表
电阻式传感器电性能分析SMU数字源表 实时测试多种材料在同-环境条件下的电阻值的反应灵敏; 在低电压下进行下高范围跨度(Q、 KQ、MQ、GQ)的电阻测量，测试设备输入电阻要求高; I/N曲线扫描; 上位机实时显示各不同压敏电阻R/t曲线，并可记录存档。 S系列源表+上位机软件面议2025-04-08 -
1200V半导体分析仪替代4200
SPA-6100型1200V半导体分析仪替代4200是武汉普赛斯自主研发、精益打造的一款半导体电学特性测试系统，具有高精度、宽测量范围、快速灵活、兼容性强等优势。产品可以同时支持DC电流-电压(I-V)、电容-电压(C-V)以及高流高压下脉冲式I-V特性的测试，旨在帮助加快前沿材料研究、面议2025-04-08 -
霍尔测试系统霍尔测试仪
产品简介 霍尔测试系统霍尔测试仪集多种测量和分析功能一体，可精准测量各种电流传感器（霍尔电流传感器、罗氏线圈、皮尔森线圈等）的静态与动态参数，单台大电流源电流可高达1000A。该系统可测量不同电流传感器的静态与动态参数，具有大电流特性、极快的达到300A/us级面议2025-04-08 -
DC参数测试iv扫描源表
芯片测试作为芯片设计、生产、封装、测试流程中的重要步骤，是使用特定仪器，通过对待测器件DUT(DeviceUnderTest)的检测，区别缺陷、验证器件是否符合设计目标、分离器件好坏的过程。其中直流参数测试是检验芯片电性能的重要手段之一，常用的测试方法是FIMV（加电流测电压）面议2025-04-08 -
分立器件检测仪iv+cv测试仪
SPA-6100分立器件检测仪iv+cv测试仪是武汉普赛斯自主研发、精益打造的一款半导体电学特性测试系统，具有高精度、宽测量范围、快速灵活、兼容性强等优势。产品可以同时支持DC电流-电压(I-V)、电容-电压(C-V)以及高流高压下脉冲式I-V特性的测试，旨在帮助加快前沿材料研究、半面议2025-04-08 -
高电压大电流-半导体功率测试设备
PMST系列高电压大电流-半导体功率测试设备是武汉普赛斯正向设计，精益打造的高精密电压/电流测试分析系统，是一致能够提供IV，CV、跨导等丰富功能的综合测试系统，具有高精度、宽测量范围、模块化设计、轻松升级扩展等优势，旨在全面满足从基础功率二极管、MOSFET.BJT、 IGB面议2025-04-08 -
SMU数字源表搭建场效应晶体管IV特性测试实验平台
本科生微电子器件及材料实验目录 实验一：金属-氧化物-半导体场效应晶体管特性IV特性测试实验 实验二：四探针法测量半导体电阻率测试实验 实验三： MOS电容的CV特性测试实验 实验四：半导体霍尔效应测试实验 实验五：激光二极管LD的LIV特性测试实验 实验六：太阳能电面议2025-04-08 -
CV测试系统_CV测试仪_提供0V~3500V偏压范围
CV测试系统主要由源表、LCR表、矩阵开关和上位机软件组成。LCR表支持的测量频率范围在0.1Hz~1MHz，源表(SMU)负责提供可调直流电压偏置，通过矩阵开关加载在待测件上，内置自动化CV测试软件，包含C-V（电容-电压），C-T（电容-时间），C-F（电容-频率）等多项测试测试功能;详面议2025-04-08 -
电流-导通电压扫描测试脉冲电源300A大电流源
普赛斯HCPL030系列高电流脉冲电源为脉冲恒流源，产品具有输出脉冲边沿陡（10μs）、测试效率高（40ms，外部控制继电器）、支持两路脉冲电压测量（峰值采样）、支持输出极性切换等特点。单台输出电流300A，支持至少六台以上多设备并联测量。设备主要针对晶圆测试，可用于300A面议2025-04-08 -
8000V半导体测试高压程控电源
高电压源测单元具有输出及测量电压高(8000V)、能输出及测量微弱电流信号(1nA)的特点。设备工作在第一象限，输出及测量电压0~8000V，输出及测量电流0~40mA。支持恒压恒流工作模式，同时支持丰富的I-V扫描模式。设备可应用于IGBT击穿电压测试、IGBT老化电源、防雷二极管耐压测面议2025-04-08 -
电流响应时间测试脉冲电源
普赛斯HCPL100型高电流脉冲电源为脉冲恒流源，具有输出电流大（1000A）、脉冲边沿陡（15us）、支持两路脉冲电压测量（峰值采样）、支持输出极性切换等特点。 设备可广泛应用于肖特基二极管、整流桥堆、IGBT器件、IGBT半桥模块、IPM模块等需要高电流的测试场合，使用该设面议2025-04-08 -
IC电气特性测试数字源表
普赛斯数字源表集电压源、电流源、电压表、电流表、电子负载功能于一体，支持四象限工作、微弱电流10pA输出测量、3500V高压下nA级测量、1000A脉冲大电流输出，全系列产品丰富，新推出更高精度、更大直流的SXXB系列高精度数字源表，相比于传统S系列源表，准确度提升至±0.03%面议2025-04-08 -
GaN SiC三代半功率器件测试设备
PMST系列功率器件静态参数测试系统是武汉普赛斯正向设计、精益打造的高精密电压/电流测试分析系统，是一款能够提供IV、 CV、跨导等丰富功能的综合测试系统，具有高精度、宽测量范围、模块化设计、轻松升级扩展等优势，旨在全面满足从基础功率二极管、MOSFET、BJT、IGBT到宽面议2025-04-08 -
半导体分立器件电性能iv测试系统
半导体分立器件特性参数测试是对待测器件（DUT）施加电压或电流，然后测试其对激励做出的响应；通常半导体分立器件特性参数测试需要几台仪器完成，如数字表、电压源、电流源等。然而由数台仪器组成的系统需要分别进行编程、同步、连接、测量和分析，过程既复杂又耗时，还占面议2025-04-08 -
电流脉冲电源1μs窄脉宽
PL系列窄脉冲LV测试系统是为大功率激光器LV测试而研制的，大功率激光器使用直流或者宽脉冲加电时发热严重，而激光器特性受温度影响非常大，直流或宽脉冲下的测试结果并不能反映器件特性。 PL系列产品具有输出电流脉冲窄、输出脉冲电流大、支持脉冲光峰值功率检测、支持激面议2025-04-08 -
IC芯片电特性测试数字源表
IC芯片电特性测试数字源表认准生产厂家武汉普赛斯仪表，普赛斯S系列、P系列源表标准的SCPI指令集，Y秀的性价比，良好的售后服务与技术支持，详询一八一四零六六三四七六；普赛斯仪表是手家国产数字源表生产厂家，产品已经历3年迭代完善，对标2400、2450、2611、2601B、2651面议2025-04-08 -
wat半导体参数测试设备_晶圆片检测仪
SPA-6100wat半导体参数测试设备_晶圆片检测仪是武汉普赛斯自主研发、精益打造的一款半导体电学特性测试系统，具有高精度、宽测量范围、快速灵活、兼容性强等优势。产品可以同时支持DC电流-电压(I-V)、电容-电压(C-V)以及高流高压下脉冲式I-V特性的测试，旨在帮助加快前沿材面议2025-04-08 -
igbt静态性能测试设备
普赛斯igbt静态性能测试设备,集多种测量和分析功能一体,可以精准测量功率半导体器件的静态参数,具有高电压和大电流特性、uQ级精确测量、nA级电流测量能力等特点。支持高压模式下测量功率器件结电容,如输入电容、输出电容、反向传输电容等。详询18140663476 测试项目 集面议2025-04-08 -
晶圆/芯片微弱电流测试VI源表
武汉普赛斯仪表晶圆/芯片微弱电流测试VI源表标准的SCPI指令集，Y秀的性价比，良好的售后服务与技术支持，集电压源、电流源、电压表、电流表、电子负载功能于一体，支持四象限工作S系列源表 应用 分立器件特性测试：电阻、二极管、发光二极管、齐纳二极管、PIN二极管、面议2025-04-08 -
晶体管特性图示仪iv+cv曲线扫描仪
晶体管特性图示仪iv+cv曲线扫描仪优势： IV、CV一键测；一体机，支持远程指令控制；支持三同轴接探针台 能够覆盖从材料、晶圆、器件到模块的测试；详询一八一四零六六三四七六； 产品特点： 30μV-1200V,1pA-100A宽量程测试能力； 测量精度高,全量程下可面议2025-04-08 -
大功率分立器件测试设备静态参数分析仪
普赛斯分立器件静态测试系统集多种测量和分析功能一体，可精准测量功率器件（如MOSFET、BJT、IGBT以及SiC、GaN第三代半导体等）的静态参数，电压可高达10KV,电流可高达6KA。该系统可测量不同封装类型的功率器件的静态参数，具有高电压和大电流特性，uΩ级电阻，pA级电流精准面议2025-04-08 -
高精度国产DP300B型双通道数字源表
产品简介 DPX00B双通道高精度台式脉冲源表是在单通道脉冲台式源表基础上新打造的一款高精度、大动态、数字触摸源表，汇集电压、电流输入输出及测量等多种功能，单通道最大输出电压达300V，最大脉冲输出电流达30A，支持四象限工作，2个通道可独立或组合工作。 DPX00B双面议2025-04-08 -
半导体电学特性测试系统CV+IV测试仪
SPA-6100半导体电学特性测试系统CV+IV测试仪是武汉普赛斯自主研发、精益打造的一款半导体电学特性测试系统，具有高精度、宽测量范围、快速灵活、兼容性强等优势。产品可以同时支持DC电流-电压(I-V)、电容-电压(C-V)以及高流高压下脉冲式I-V特性的测试，旨在帮助加快前沿材料面议2025-02-27 -
功率mos管电性能分析IV测试大电流源表
P系列功率mos管电性能分析IV测试大电流源表是普赛斯在直流源表的基础上新打造的一款高精度、大动态、数字触摸源表，汇集电压、电流输入输出及测量等多种功能，Z大脉冲输出电流达10A，Z大输出电压达300V，支持四象限工作，因此能广泛的应用于各种电气特性测试中。P系列源表适面议2025-02-27
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