硅片切割的常用方法

硅片切割是硅片生产的上游关键技术，硅片是电子工业的主要原材料。切割的质量和规模直接影响整个产业链的后续生产。硅片切割是电池加工的重要步骤，直接影响硅片表层的晶体取向、厚度、表层粗糙度和翘曲。硅片制造过程当中，可能出现断线、停机、厚度不均、粗糙度过大（工艺难点）；过去硅片、电池技术和元器件制造约占成本的33％，但现在由于电池技术和元器件制造技术的提高，三部分的成本分布分别为50％、25％和25％（成本）；硅片切割过程当中，材料损耗偏位50％，浪费严重（节材）。因此，研究、探讨和改进硅片技术具有重要意义。

硅片切割的常用方法有哪些？

一般来说，硅片加工的工艺流程包括晶体生长、切割、外径轧制、边缘展平、切片、倒角、碾磨、腐蚀、抛光、清洗和封装。由于硅材料的脆性和硬度，直径的加大造成加工时翘曲，加工精度难以保证。随着厚度的增加和切屑厚度的减小，材料磨削量大，效率下降。

硅片加工过程当中的一个关键步骤是硅片切片过程，其加工效率和质量非常重要。

硅片切割工艺的原则要求是:①切割精度高，表层平行度高，翘曲小，厚度公差小。②截面整体性好，去除拉丝、刀痕、微裂纹。③提高产量，减少刀（钢丝）切缝，减少原材料损耗。④提高切割速度，实现自动切割。

多线切割作为一种先进的切割技术，已经逐渐取代传统的内圆切割成为晶圆切片的主要切割方式。由于驱动磨削液的切割丝在加工中起着重要的作用，与刀片损耗和硅片产量密切相关，减小切割丝的直径将大大减少硅材料的损耗，大大提高单位材料硅片的产量。