PMOS3401管的应用领域有哪些

PMOS3401管分为结型和绝缘栅型。PMOS3401管（JFET）因具有两个PN结而得名，PMOS3401管因栅极和其他电极之间的完全绝缘而得名。目前，PMOS3401管是应用最广泛的绝缘栅PMOS3401管（即金属氧化物半导体PMOS3401管MOSFET）。此外,像这种管由于本身应用领域比较广，所以一般在市面上的销售数量会比较大。那么PMOS3401管的应用领域有哪些呢？

根据沟道半导体数据的不同，结型和绝缘栅型分别分为沟道和p沟道。若按导电模式划分，FET可分为耗尽型和增强型。结型PMOS3401管为耗能型，绝缘栅型PMOS3401管可以分为耗能型和增强型这两种。PMOS3401管按照不同的功能可分为n沟道耗尽型和增强型；P-通道耗尽型和增强型。

FET的特色是南部电网电压UG；控制其漏电流ID。与普通双极晶体管相比，FET具有高输入阻抗、低噪音、大动态范围、低功耗和易于集成的特色。

FET的工作原理如图4-24所示（以结型n沟道管为例）。由于连接到栅极g的负偏压（-UG），在g附近形成耗尽层。

当负偏压的绝对值（-UG）增加时，耗尽层增加，沟道减小，漏电流ID减小。负偏压绝对值（UG）减小时，耗尽层减小，沟道增大，漏电流ID增大。可以看出，漏极电流ID是由栅极电压控制的，因此FET是一种电压控制器件，即通过改变输入电压来控制输出电流的变化，从而达到放大的目的。

和双极晶体管一样，当FET用于放大和其他电路时，其栅极也应偏置。结型FET的栅极应施加反向偏置电压，即n沟道管应加负栅极电压，p沟道管应加正栅极爪。应向加强绝缘栅极FET施加正栅极电压。耗尽型绝缘栅FET的栅电压可为正、负和“0”，如表4-2所示。增加偏置的方法有恒偏置法、自补偿偏置法、直接耦合法等。

FET的参数很多，包括直流参数、交流参数和极限参数，但在一般应用中只要注意以下主要参数：饱和漏源电流IDSS、夹断电压上升、，（结型晶体管和耗尽型绝缘栅管，或on电压UT（加强绝缘栅管），跨导GM，漏源击穿电压Budd，最大功耗PDSM和最大漏源电流idsm。

同时，PMOS3401管在应用过程当中还需要考虑到节能以及成本等方面的因素，建议公司在应用过程当中可以做好监管工作，定期要对应用数据进行系统测量。