晶圆切割的方法与作用介绍

　  随着微电子技术的发展，对半导体器件的要求也越来越高，不仅体积缩小，准确度也要不断提高。

　　因此，半导体整理工程也需要不断完善。特别是在晶圆切割过程当中，例如切割时，要减少半导体边缘破裂的危险，减少废物。为此，切削叶片须越来越薄，对叶片的刚度和硬度要求越来越高。目前正在不断开发高密度晶片，以便为单位晶片获得更多半导体元件。因此，工作条件越来越严格。晶圆地板的材料硬度高，一般刀片难以切割，因此应考虑金刚石刀片。使用钻石刀片时，刀刃会晃动和振动，内部应力大，会发生变形，刀刃的寿命不高。另外，在现有切割过程当中，使用一次性穿透切割，半导体晶片的边缘破裂，产品的良品率下降。

　　因此，为了战胜上述缺点，须提供优化的晶圆切割方法。

　　技术实施要素：

　　目的是提供一种优化的晶圆切割方法，以减少切割时晶片的变形，提高半导体收率，提高切割叶片的寿命。

　　为了达到这一目的，本发明的晶圆切割方法如下。

　　提供具有相对一、二表层的晶片。

　　晶片上所述第二表层附着有保护胶。

　　切割从所述一表层的预定位置向所述二表层的方向形成第一凹槽，切割深度小于所述晶片的总深度。而且在所述一表层的预定位置，在所述二表层的方向上，一切削形成第一凹槽，切削深度小于所述晶片的总深度。

　　与传统的首次穿透性切割相比，通过在晶圆的不同表层进行第二次切割，可以避免半导体晶圆的切割边缘破裂，提高收率，从而避免刀片变形，提高刀片寿命。

　　作为一种更好的方法，所述晶体的第一表层附着有相应的保护胶。

　　更好，保护胶是UVB胶。

　　在更好的情况下，所述首要切割的切割深度是所述晶片整体深度的一半。

  芯片晶圆切割机是主轴转速约在30，000 ~ 60，000rpm之间的非常精密的设备，由于颗粒和晶粒之间的间隙小(约2mil，1mil=1/1000英寸)，颗粒相当脆弱，所以精度相当高(3m为205毫米)，如果用碾磨的方式切割，会产生很多小碎屑。除上述几点外，整个芯片切割机过程当中要注意的事项还相当多。例如，颗粒完全分割，但不可承载的胶带须切割，切割时不可沿着颗粒和晶粒之间的切割线脱离，切割后不可引起晶粒的崩塌或开裂。为了解决其中的许多问题，将各种自动检测、自动调整和自动清洗设备应用于机器，以减少切割时出现的错误造成的损失。