硅片切割的难点有哪些？

地壳中25.8%的硅含量为生产单晶硅提供了取之不尽的资源。由于硅是地壳中含量丰富的元素之一，对于太阳能电池等注定要进入大众市场的产品来说，储量优势也是硅成为光伏主要材料的原因之一，所以要进行硅片切割。

硅片的减薄不仅有效下降了硅材料的消耗，减薄所体现的硅片的柔韧性也为电池和组件端带来了更多的可能性，除了切片设备、金刚石线、技术的制约，硅片的减薄也伴随着电池和组件技术需求的变化。例如，异质结电池（HIT）的对称结构、低温或无应力工艺可以完全适应更薄的硅片，其效率不受厚度影响，即使减薄到100μm左右，取决于超低的表层复合和短路电流 Isc 的损失可以通过开路电压 Voc 来补偿，因为硅片切割在如今很受欢迎。

硅片切割的难点：

1、杂质线痕：多晶硅锭中的杂质，在切片过程当中无法去除，造成硅片上出现相关线痕。

2、划痕：砂浆内有较大的碳化硅颗粒或砂浆结块所致。在切割过程当中，碳化硅颗粒“卡”在钢丝和硅片之间，不可溢出，造成线痕。表现形式：包括全线痕和半线痕，凹面、闪亮的线痕，比其他线痕更窄更薄。

3、密痕（dense traces）：由于研钵碾磨能力不足或切片机研钵回路系统问题，在硅片上出现密迹。

4、错位线痕：因切片机液压夹紧装置表层有砂浆等异物或托盘上残留胶水等异物造成的线痕，造成液压装置与托盘无法夹紧，托盘 螺丝松了。