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洪山仪器/仪表信息
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半导体参数CV测试仪
半导体参数CV测试仪优势 频率范围宽：频率范围10Hz~1MHz连续频率点可调； 高精度、大动态范围：提供0V~3500V偏压范围，精度0.1%； 内置CV测试：内置自动化CV测试软件，包含C-V（电容-电压），C-T（电容-时间），C-F（电容-频率）等多项测试测试功能; 兼容IV测试：同时面议2025-04-08 -
霍尔延时响应测试系统电流传感器测试设备
产品简介 霍尔延时响应测试系统电流传感器测试设备集多种测量和分析功能一体，可精准测量各种电流传感器（霍尔电流传感器、罗氏线圈、皮尔森线圈等）的静态与动态参数，单台大电流源电流可高达1000A。该系统可测量不同电流传感器的静态与动态参数，具有大电流特性、极快面议2025-04-08 -
大功率igbt模块测试设备功率器件静态参数测试仪
普赛斯大功率igbt模块测试设备功率器件静态参数测试仪，集多种测量和分析功能一体，可以精准测量不同封装类型功率器件（如MOSFET、BJT、IGBT以及SiC、GaN第三代半导体等）的静态参数，具有高电压和大电流特性、μΩ级J确测量、nA级电流测量能力等特点。支持高压模式下测量功率面议2025-04-08 -
半导体参数测试仪CV+IV曲线扫描仪
SPA-6100半导体参数测试仪CV+IV曲线扫描仪是武汉普赛斯自主研发、精益打造的一款半导体电学特性测试系统，具有高精度、宽测量范围、快速灵活、兼容性强等优势。产品可以同时支持DC电流-电压(I-V)、电容-电压(C-V)以及高流高压下脉冲式I-V特性的测试，旨在帮助加快前沿材料研面议2025-04-08 -
晶体管iv图示仪分立器件检测仪
晶体管泛指一切以半导体材料为基础的单一元件，是一种半导体器件，放大器或电控开关常用；包括各种半导体材料制成的二极管、三极管、场效应管、晶闸管（后三者均为三端子）等。晶体管具有检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制等多种功能，晶体管可用于各种各样的数字和模面议2025-04-08 -
KV级高压电源3500V高压程控电源
E系列KV级高压电源3500V高压程控电源特点和优势： 十ms级的上升沿和下降沿； 单台最大3500V的输出； 0.1%测试精度； 同步电流或电压测量； 支持程控恒压测流，恒流测压，便于扫描测试； 应用领域： 用于IGBT击穿电压测试,IGBT动态测试母线电容充面议2025-02-27 -
二极管&led反向击穿电压测试设备
二极管&led反向击穿电压测试设备具有输出及测量电压高（3500V）、能输出及测量微弱电流信号（1nA）的特点。设备工作在第一象限，输出及测量电压0~3500V，输出及测量电流0~100mA。支持恒压恒流工作模式，同时支持丰富的I-V扫描模式。详询一八一四零六六三四七六； 二极管&面议2025-02-27 -
pA级微电流数字源表IV测试源表
普赛斯数字源表集电压源、电流源、电压表、电流表、电子负载功能于一体，支持四象限工作、微弱电流10pA输出测量、3500V高压下nA级测量、1000A脉冲大电流输出，全系列产品丰富，pA级微电流数字源表IV测试源表认准普赛斯仪表，详询一八一四零六六三四七六； 源表特点： 多面议2025-02-27 -
电流阶跃测试电源高电流脉冲源
电流阶跃测试电源高电流脉冲源为脉冲恒流源，具有输出电流大（1000A）、脉冲边沿陡（15uS）、支持两路脉冲电压测量（峰值采样）、支持输出极性切换等特点。 设备可广泛应用于肖特基二极管、整流桥堆、IGBT器件、IGBT半桥模块、IPM模块等需要高电流的测试场合，使用该设面议2025-02-27 -
直流3A半导体分立器件测试仪
通常分立器件特性参数测试需要几台仪器完成，如数字万用表、 电压源、电流源等。然而由数台仪器组成的系统需要分别进行编程、同步、连接、测量和分析，过程既复杂又耗时，又占用过多测试台的空间；实施半导体分立器件特性参数分析的最佳工具之一是数字源表（SMU）。数字源表面议2025-02-27 -
半导体分立器件测试设备高电压+大电流
实施半导体分立器件特性参数分析的最佳工具之一是数字源表（SMU）。数字源表可作为独立的恒压源或恒流源、伏特计、安培计和欧姆表，还可用作精密电子负载，其高性能架构还允许将其用作脉冲发生器、波形发生器和自动电流-电压(I-V)特性分析系统，支持四象限工作。 利用数面议2025-02-27 -
场效应MOS管特性曲线测试国产源表
使用普赛斯S系列高精度数字源表、P系列高精度台式脉冲源表对MOSFET常见参数进行测试。 输入/输出特性测试 针对1A以下的MOSFET器件，推荐2台S系 列源表搭建测试方案，Z大电压300V，Z大电流1A, 最小电流100pA，可以满足小功率MOSFET测试的需求。 针对Z大电流为面议2025-02-27 -
三极管反向击穿电压测试SMU数字源表
三极管是半导体基本元器件之一，设计电路中常常会关注的参数有电流放大系数β、极间反向电流ICBO、ICEO、集电极最大允许电流ICM、反向击穿电压VEBO、VCBO、VCEO以及三极管的输入输出特性曲线等参数。 根据材料以及用途不同，三极管器件的电压、电流技术参数也不同，针对1A以面议2025-02-27 -
CTMS-1000A霍尔电流传感器测直流电流平台
CTMS-1000A霍尔电流传感器测直流电流平台集多种测量和分析功能一体，可精准测量各种电流传感器（霍尔电流传感器、罗氏线圈、皮尔森线圈等）的静态与动态参数，单台大电流源电流可高达1000A。该系统可测量不同电流传感器的静态与动态参数，具有大电流特性、极快的达到50A/us面议2025-02-27 -
射频器件频率特性测试SMU源表
GaNHEMT器件的评估一般包含直流特性(直流l-V测试)、频率特性(小信号S参数测试)、功率特性(Load-Pull测试)。 频率特性测试 射频器件的频率参数测试包含小信号S参数、互调(IMD)、噪声系数和杂散等特性的测量。其中,S参数测试描述了RF器件在不同频率下和对于信号的不同面议2025-02-27
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